- Code commande RS:
- 273-2063
- Référence fabricant:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marque:
- Infineon
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106,06 €
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Unité | Prix par unité |
1 - 1 | 88,38 € |
2 - 4 | 86,05 € |
5 - 9 | 83,84 € |
10 + | 81,76 € |
- Code commande RS:
- 273-2063
- Référence fabricant:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marque:
- Infineon
Carte d'évaluation pour driver de grille isolée à canal unique 1ED3142MU12F - 2 300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
L'EVAL-1ED3142MU12F-SIC est en configuration demi-pont avec deux CI de driver de grille (1ED3142MU12F) pour piloter des commutateurs d'alimentation tels que les IGBT, les transistors MOSFET et les transistors MOSFET SiC.
Cette carte est fournie pré-populée avec deux MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un CI de driver de grille supplémentaire est utilisé pour un signal de rétroaction de surintensité isolé du côté haute tension au côté de commande logique, un amplificateur opérationnel rapide est utilisé comme comparateur pour la détection de surintensité. Il est le mieux adapté pour les tests à double impulsion.
Le 1ED3142MU12F appartient à la famille EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famille compacte X3). Le 1ED3142MU12F offre une sortie de dissipateur et de source séparée, une temporisation précise et stable, une mise hors tension active pour garantir un transistor de puissance à l'état hors tension sûr dans le cas où la puce de sortie n'est pas connectée à l'alimentation, un serrage de court-circuit pour limiter la tension de grille pendant le court-circuit. Le driver peut fonctionner sur une large plage de tensions d'alimentation, unipolaires ou bipolaires.
Cette carte est fournie pré-populée avec deux MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un CI de driver de grille supplémentaire est utilisé pour un signal de rétroaction de surintensité isolé du côté haute tension au côté de commande logique, un amplificateur opérationnel rapide est utilisé comme comparateur pour la détection de surintensité. Il est le mieux adapté pour les tests à double impulsion.
Le 1ED3142MU12F appartient à la famille EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famille compacte X3). Le 1ED3142MU12F offre une sortie de dissipateur et de source séparée, une temporisation précise et stable, une mise hors tension active pour garantir un transistor de puissance à l'état hors tension sûr dans le cas où la puce de sortie n'est pas connectée à l'alimentation, un serrage de court-circuit pour limiter la tension de grille pendant le court-circuit. Le driver peut fonctionner sur une large plage de tensions d'alimentation, unipolaires ou bipolaires.
Carte d'évaluation pour driver de grille isolée à canal unique 1ED3142MU12F - 2 300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
Driver de grille isolé à canal unique compact EiceDRIVERTM, famille 1ED31xx (famille compacte X3)
A utiliser avec les IGBT 650 V/1 200 V/1 700 V/2 300 V/, les transistors MOSFET Si et SiC
Tension de décalage fonctionnelle de 2 300 V pour les applications sélectionnées
Driver de grille de transformateur sans noyau isolé galvaniquement
Courant de sortie de crête de coulée et de source typique de 6,5 A
Tension d'alimentation de sortie maximale absolue de 35 V
Retard de propagation de 45 ns avec filtre d'entrée de 20 ns
CMTI haute immunité transitoire à mode commun >300 kV/μs
Sorties de source et de récepteur séparées
Serrage de court-circuit et arrêt actif
Boîtier étroit DSO-8 150 mil
A utiliser avec les IGBT 650 V/1 200 V/1 700 V/2 300 V/, les transistors MOSFET Si et SiC
Tension de décalage fonctionnelle de 2 300 V pour les applications sélectionnées
Driver de grille de transformateur sans noyau isolé galvaniquement
Courant de sortie de crête de coulée et de source typique de 6,5 A
Tension d'alimentation de sortie maximale absolue de 35 V
Retard de propagation de 45 ns avec filtre d'entrée de 20 ns
CMTI haute immunité transitoire à mode commun >300 kV/μs
Sorties de source et de récepteur séparées
Serrage de court-circuit et arrêt actif
Boîtier étroit DSO-8 150 mil
Avantages
Les filtres intégrés réduisent le besoin de filtres externes
Correspondance de temporisation de propagation CI à CI étroite (7 ns maximum), la tolérance améliore la robustesse de l'application sans variations dues au vieillissement, au courant et à la température
Adapté au fonctionnement à température ambiante élevée et dans les applications à commutation rapide
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) pendant 1 s, 3,0 kV (rms) pendant 1 min
Le délai de propagation serré permet un temps mort minimal pour améliorer l'efficacité du système et diminuer la distorsion harmonique
Le seuil et les timings précis, combinés à la certification UL 1577, permettent une sécurité d'application supérieure
Correspondance de temporisation de propagation CI à CI étroite (7 ns maximum), la tolérance améliore la robustesse de l'application sans variations dues au vieillissement, au courant et à la température
Adapté au fonctionnement à température ambiante élevée et dans les applications à commutation rapide
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) pendant 1 s, 3,0 kV (rms) pendant 1 min
Le délai de propagation serré permet un temps mort minimal pour améliorer l'efficacité du système et diminuer la distorsion harmonique
Le seuil et les timings précis, combinés à la certification UL 1577, permettent une sécurité d'application supérieure
Applications
Charge EV
Commande de moteur et entraînements
Photovoltaïque
Alimentations de serveur
Onduleurs (UPS)
Commande de moteur et entraînements
Photovoltaïque
Alimentations de serveur
Onduleurs (UPS)
Attribut | Valeur |
---|---|
Fonction de gestion de l'alimentation | IGBT, Driver MOSFET |
Pour être utilisé avec | Transistor MOS |
Classification du kit | Carte d'évaluation |
Dispositif | Gate Driver IC |
Nom du kit | EVAL-1ED3142MU12F-SIC |
- Code commande RS:
- 273-2063
- Référence fabricant:
- EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
- Marque:
- Infineon
Carte d'évaluation pour driver de grille isolée à canal unique 1ED3142MU12F - 2 300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
L'EVAL-1ED3142MU12F-SIC est en configuration demi-pont avec deux CI de driver de grille (1ED3142MU12F) pour piloter des commutateurs d'alimentation tels que les IGBT, les transistors MOSFET et les transistors MOSFET SiC.
Cette carte est fournie pré-populée avec deux MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un CI de driver de grille supplémentaire est utilisé pour un signal de rétroaction de surintensité isolé du côté haute tension au côté de commande logique, un amplificateur opérationnel rapide est utilisé comme comparateur pour la détection de surintensité. Il est le mieux adapté pour les tests à double impulsion.
Le 1ED3142MU12F appartient à la famille EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famille compacte X3). Le 1ED3142MU12F offre une sortie de dissipateur et de source séparée, une temporisation précise et stable, une mise hors tension active pour garantir un transistor de puissance à l'état hors tension sûr dans le cas où la puce de sortie n'est pas connectée à l'alimentation, un serrage de court-circuit pour limiter la tension de grille pendant le court-circuit. Le driver peut fonctionner sur une large plage de tensions d'alimentation, unipolaires ou bipolaires.
Cette carte est fournie pré-populée avec deux MOSFET CoolSiCTM IMZA120R020M1H, un CI de driver de grille supplémentaire est utilisé pour un signal de rétroaction de surintensité isolé du côté haute tension au côté de commande logique, un amplificateur opérationnel rapide est utilisé comme comparateur pour la détection de surintensité. Il est le mieux adapté pour les tests à double impulsion.
Le 1ED3142MU12F appartient à la famille EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx (famille compacte X3). Le 1ED3142MU12F offre une sortie de dissipateur et de source séparée, une temporisation précise et stable, une mise hors tension active pour garantir un transistor de puissance à l'état hors tension sûr dans le cas où la puce de sortie n'est pas connectée à l'alimentation, un serrage de court-circuit pour limiter la tension de grille pendant le court-circuit. Le driver peut fonctionner sur une large plage de tensions d'alimentation, unipolaires ou bipolaires.
Carte d'évaluation pour driver de grille isolée à canal unique 1ED3142MU12F - 2 300 V, 6,5 A, 3 kV (rms)
Driver de grille isolé à canal unique compact EiceDRIVERTM, famille 1ED31xx (famille compacte X3)
A utiliser avec les IGBT 650 V/1 200 V/1 700 V/2 300 V/, les transistors MOSFET Si et SiC
Tension de décalage fonctionnelle de 2 300 V pour les applications sélectionnées
Driver de grille de transformateur sans noyau isolé galvaniquement
Courant de sortie de crête de coulée et de source typique de 6,5 A
Tension d'alimentation de sortie maximale absolue de 35 V
Retard de propagation de 45 ns avec filtre d'entrée de 20 ns
CMTI haute immunité transitoire à mode commun >300 kV/μs
Sorties de source et de récepteur séparées
Serrage de court-circuit et arrêt actif
Boîtier étroit DSO-8 150 mil
A utiliser avec les IGBT 650 V/1 200 V/1 700 V/2 300 V/, les transistors MOSFET Si et SiC
Tension de décalage fonctionnelle de 2 300 V pour les applications sélectionnées
Driver de grille de transformateur sans noyau isolé galvaniquement
Courant de sortie de crête de coulée et de source typique de 6,5 A
Tension d'alimentation de sortie maximale absolue de 35 V
Retard de propagation de 45 ns avec filtre d'entrée de 20 ns
CMTI haute immunité transitoire à mode commun >300 kV/μs
Sorties de source et de récepteur séparées
Serrage de court-circuit et arrêt actif
Boîtier étroit DSO-8 150 mil
Avantages
Les filtres intégrés réduisent le besoin de filtres externes
Correspondance de temporisation de propagation CI à CI étroite (7 ns maximum), la tolérance améliore la robustesse de l'application sans variations dues au vieillissement, au courant et à la température
Adapté au fonctionnement à température ambiante élevée et dans les applications à commutation rapide
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) pendant 1 s, 3,0 kV (rms) pendant 1 min
Le délai de propagation serré permet un temps mort minimal pour améliorer l'efficacité du système et diminuer la distorsion harmonique
Le seuil et les timings précis, combinés à la certification UL 1577, permettent une sécurité d'application supérieure
Correspondance de temporisation de propagation CI à CI étroite (7 ns maximum), la tolérance améliore la robustesse de l'application sans variations dues au vieillissement, au courant et à la température
Adapté au fonctionnement à température ambiante élevée et dans les applications à commutation rapide
UL 1577 VISO = 3,6 kV (rms) pendant 1 s, 3,0 kV (rms) pendant 1 min
Le délai de propagation serré permet un temps mort minimal pour améliorer l'efficacité du système et diminuer la distorsion harmonique
Le seuil et les timings précis, combinés à la certification UL 1577, permettent une sécurité d'application supérieure
Applications
Charge EV
Commande de moteur et entraînements
Photovoltaïque
Alimentations de serveur
Onduleurs (UPS)
Commande de moteur et entraînements
Photovoltaïque
Alimentations de serveur
Onduleurs (UPS)
Attribut | Valeur |
---|---|
Fonction de gestion de l'alimentation | IGBT, Driver MOSFET |
Pour être utilisé avec | Transistor MOS |
Classification du kit | Carte d'évaluation |
Dispositif | Gate Driver IC |
Nom du kit | EVAL-1ED3142MU12F-SIC |