- Code commande RS:
- 170-2163
- Référence fabricant:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
10 + | 183,779 € | 1 837,79 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 170-2163
- Référence fabricant:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- SG
Détail produit
Modules IGBT, Infineon
La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz.
Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal NTM TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.
Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal NTM TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.
Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACKTM2/ECONOPACKTM3/ECONOPACKTM4
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 300 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 1550 W |
Type de boîtier | Module 62MM |
Configuration | Simple |
Type de montage | Montage panneau |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 5 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 106.4 x 61.4 x 36.5mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
- Code commande RS:
- 170-2163
- Référence fabricant:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Marque:
- Infineon