MOSFET N Infineon 43 A 200 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9428P
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 20 - 48 | 2,78 € |
| 50 - 98 | 2,60 € |
| 100 - 198 | 2,405 € |
| 200 + | 2,255 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9428P
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 43A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 54mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 60nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 43A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 54mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 60nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un MOSFET IR à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Boîtier de capacité de transport de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la matrice)
Peut être soudé à la vague