NVRAM Infineon, 1Mbit, SOIC , 16 broches
- Code commande RS:
- 194-9095
- Référence fabricant:
- CY14V101QS-SF108XI
- Marque:
- Infineon
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 194-9095
- Référence fabricant:
- CY14V101QS-SF108XI
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille mémoire | 1Mbit | |
| Configuration | 128K x 8 bits | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOIC | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Dimensions | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Longueur | 10.49mm | |
| Largeur | 7.59mm | |
| Hauteur | 2.36mm | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Nombre de bits par mot | 8bit | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V | |
| Nombre de mots | 128K | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille mémoire 1Mbit | ||
Configuration 128K x 8 bits | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOIC | ||
Nombre de broches 16 | ||
Dimensions 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Longueur 10.49mm | ||
Largeur 7.59mm | ||
Hauteur 2.36mm | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 3,6 V | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
Nombre de bits par mot 8bit | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 2,7 V | ||
Nombre de mots 128K | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Le Cypress CY14V101QS combine une NVSRAM 1 Mbit avec une interface QPI. Le QPI permet d'écrire et de lire la mémoire en un seul (un canal d'E/S pour un bit par cycle d'horloge), deux (deux canaux d'E/S pour deux bits par cycle d'horloge) ou quatre (quatre canaux d'E/S pour quatre bits par cycle d'horloge) à l'aide de codes opsélectionnés. La mémoire est organisée en 128 ko, chacune composée de cellules SRAM et d'interruption SONOS Quantum non volatiles. La SRAM fournit des cycles de lecture et d'écriture infinis, tandis que les cellules non volatiles fournissent un stockage extrêmement fiable des données. Les transferts de données de SRAM vers les cellules non volatiles (fonctionnement STORE) se produisent automatiquement à la mise hors tension. A la mise sous tension, les données sont rétablies à la SRAM à partir des cellules non volatiles (opération RECALL). Vous pouvez également lancer les opérations STORE et RECALL à l'aide d'instructions SPI.
