Photo diode Non, Hamamatsu Photonics, Traversant, boîtier TO-18, Rayonnement infrarouge proche

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Code commande RS:
482-440
Référence fabricant:
S12086
Marque:
Hamamatsu Photonics
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Marque

Hamamatsu Photonics

Spectres détectés

Rayonnement infrarouge proche

Type de produit

Photo diode

Pic de sensibilité de longueur d'onde

800nm

Type de Boitier

TO-18

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Longueur d'onde minimum détectée

400nm

Longueur d'onde maximum détectée

1000nm

Température minimum de fonctionnemen

-20°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

No

Diamètre

500μm

Série

S12023

Standard automobile

Non

Courant d'obscurité

30nA

Tension disruptive

200V

Pays d'origine :
JP
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) de Hamamatsu Photonics est optimisée pour la détection de la lumière dans le proche infrarouge. Elle fonctionne efficacement avec une tension de polarisation basse. Elle est conçue pour les applications nécessitant une réponse rapide et une mesure précise de la lumière.

Bruit faible

Temps de réponse très court

Haute sensibilité

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