Photo diode Non, ams OSRAM, Traversant, boîtier TO-18, 80 °, Ultraviolet, Infrarouge, Lumière visible

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497-5677
Référence fabricant:
BPX 65
Marque:
ams OSRAM
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Marque

ams OSRAM

Type de produit

Photo diode

Spectres détectés

Ultraviolet, Infrarouge, Lumière visible

Pic de sensibilité de longueur d'onde

850nm

Type de Boitier

TO-18

Type de montage

Traversant

Emballage

Ruban et bobine

Nombre de broches

2

Longueur d'onde minimum détectée

350nm

Longueur d'onde maximum détectée

1100nm

Temps de chute

12ns

Amplifié

Non

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

100°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

5.5mm

Largeur

5.6mm

Longueur

5.6mm

Diamètre

4.8mm

Angle de 1/2 sensibilité

80 °

Temps de Montée

12ns

Standard automobile

Non

Polarité

Avant

Courant de court-circuit

10μA

Courant d'obscurité

2nA

Tension circuit ouvert

330mV

Tension disruptive

16V

Pays d'origine :
CN

Boîtier TO-18 pour photodiode PIN


La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.

Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :

Boîtier métallique TO-18

Montage traversant

Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm

Court temps de commutation.

Photodiodes IR, OSRAM Opto Semiconductors


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