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    Photo diode, ams OSRAM, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18

    Code commande RS:
    912-8306
    Référence fabricant:
    BPX 65
    Marque:
    ams OSRAM
    ams OSRAM
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    Référence fabricant:
    BPX 65
    Marque:
    ams OSRAM

    Documentation technique


    Législation et Conformité


    Détail produit

    Boîtier TO-18 pour photodiode PIN


    La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.

    Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
    Boîtier métallique TO-18
    Montage traversant
    Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
    Court temps de commutation.


    Photodiodes IR, OSRAM Opto Semiconductors

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Spectres détectésInfrarouge
    Pic de sensibilité de longueur d'onde850nm
    Type de boîtierTO-18
    Type de montageTraversant
    Fonction d'amplificateurNon
    Nombre de broches2
    Matériau de la diodeSi
    Longueur d'onde minimum détectée350nm
    Longueur d'onde maximum détectée1100nm
    Temps de chute0.012µs
    Largeur5.5mm
    Diamètre4.8mm
    Courant de court-circuit10µA
    PolaritéPositif
    Temps de croissance0.012µs
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