Photo diode, ams OSRAM, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18
- Code commande RS:
- 912-8306
- Référence fabricant:
- BPX 65
- Marque:
- ams OSRAM
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| Unité | Prix par unité | le plateau* |
| 120 + | 3,702 € | 444,24 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 912-8306
- Référence fabricant:
- BPX 65
- Marque:
- ams OSRAM
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Boîtier TO-18 pour photodiode PIN
La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.
Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
Boîtier métallique TO-18
Montage traversant
Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
Court temps de commutation.
Boîtier métallique TO-18
Montage traversant
Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
Court temps de commutation.
Photodiodes IR, OSRAM Opto Semiconductors
Caractéristiques techniques
| Attribut | Valeur |
| Spectres détectés | Infrarouge |
| Pic de sensibilité de longueur d'onde | 850nm |
| Type de boîtier | TO-18 |
| Fonction d'amplificateur | Non |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 2 |
| Matériau de la diode | Si |
| Longueur d'onde minimum détectée | 350nm |
| Longueur d'onde maximum détectée | 1100nm |
| Temps de chute | 0.012µs |
| Largeur | 5.5mm |
| Diamètre | 4.8mm |
| Temps de croissance | 0.012µs |
| Courant de court-circuit | 10µA |
| Polarité | Positif |