Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier Métal, 65 °, Lumière visible

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Code commande RS:
848-6263
Référence fabricant:
PIN-10DPI/SB
Marque:
OSI Optoelectronics
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Marque

OSI Optoelectronics

Type de produit

Photo diode

Spectres détectés

Lumière visible

Pic de sensibilité de longueur d'onde

410nm

Type de Boitier

Métal

Type de montage

Traversant

Emballage

Ruban et bobine

Nombre de broches

2

Longueur d'onde minimum détectée

350nm

Longueur d'onde maximum détectée

1100nm

Temps de chute

0.6ns

Température minimum de fonctionnemen

-25°C

Amplifié

Non

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

8mm

Largeur

5mm

Hauteur

4.95mm

Normes/homologations

RoHS

Diamètre

25.4mm

Angle de 1/2 sensibilité

65 °

Temps de Montée

0.6ns

Tension disruptive

30V

Standard automobile

Non

Série

Photovaltic

Courant d'obscurité

0.2nA

Polarité

Inverse

Photodiodes de la série Photovoltaic d'OSI


La série Photovoltaic d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium diffusées. Ces photodiodes d'usage général sont idéales pour les applications nécessitant une sensibilité élevée et des vitesses de réponse modérées. Grâce à leur plage de réponse spectrale (350-1 100 nm), la série Photovoltaic régulière est adaptée aux applications visibles et à IR.

La série Photovoltaic offre une résistance shunt élevée et un faible bruit. Elle offre également une stabilité à long terme. Applications adaptées à la série Photovoltaic : colorimètres, photomètres, équipement de spectroscopie et fluorescence.

Caractéristiques de la série Photovoltaic :

Très faible bruit

Haute résistance au shunt

Large plage dynamique

Bleu amélioré

Photodiodes, OSI Optoelectronics


Note

Ces photodiodes ne sont pas conçues pour être polarisées en inverse ; le fait de leur appliquer une polarisation inverse de plus de quelques volts (> 3 V) aurait pour conséquence de les endommager de façon permanente.

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