Photo diode, OSI Optoelectronics, Lumière visible, Si, Traversant, boîtier TO-8

Ces détecteurs haute vitesse sur grande surface active peuvent être entièrement appauvris pour atteindre la capacité de jonction la plus faible possible pour un temps de réponse rapide. Ils peuvent fonctionner à une tension inverse plus élevée, jusqu'à la valeur admissible maximale, pour obtenir des temps de réponse en nanosecondes encore plus rapides. La polarisation inverse élevée sur ce point augmente le champ électrique efficace sur la jonction, augmentant ainsi le temps de collecte de charge dans la région appauvrie. Veuillez noter que ce résultat est obtenu sans sacrifier la réactivité élevée ni la zone active. Les détecteurs de radiation sur grande surface active peuvent également être entièrement appauvris pour les applications de mesure des rayons X à haute énergie, des rayons X, ainsi que des particules à haute énergie comme les électrons, les rayons alpha et les ions lourds.

Applications du produit :
Applications laser
Systèmes de contrôle
Détection d'électrons
Physique à haute énergie
Instruments médicaux
Caractéristiques du produit
Grande surface active
Appauvrissement total possible
Réponse rapide
Courant d'obscurité ultra-faible