Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier TO-8, 65 °, Ultraviolet
- Code commande RS:
- 848-6281
- Référence fabricant:
- UV-035EQ
- Marque:
- OSI Optoelectronics
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- Code commande RS:
- 848-6281
- Référence fabricant:
- UV-035EQ
- Marque:
- OSI Optoelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | OSI Optoelectronics | |
| Type de produit | Photo diode | |
| Spectres détectés | Ultraviolet | |
| Pic de sensibilité de longueur d'onde | 720nm | |
| Type de Boitier | TO-8 | |
| Emballage | Ruban et bobine | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Longueur d'onde minimum détectée | 320nm | |
| Longueur d'onde maximum détectée | 1100nm | |
| Temps de chute | 0.6ns | |
| Amplifié | Non | |
| Température minimum de fonctionnemen | -25°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Longueur | 8mm | |
| Diamètre | 13.97mm | |
| Angle de 1/2 sensibilité | 65 ° | |
| Polarité | Inverse | |
| Standard automobile | Non | |
| Temps de Montée | 0.6ns | |
| Tension disruptive | 30V | |
| Courant d'obscurité | 200pA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque OSI Optoelectronics | ||
Type de produit Photo diode | ||
Spectres détectés Ultraviolet | ||
Pic de sensibilité de longueur d'onde 720nm | ||
Type de Boitier TO-8 | ||
Emballage Ruban et bobine | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 2 | ||
Longueur d'onde minimum détectée 320nm | ||
Longueur d'onde maximum détectée 1100nm | ||
Temps de chute 0.6ns | ||
Amplifié Non | ||
Température minimum de fonctionnemen -25°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Longueur 8mm | ||
Diamètre 13.97mm | ||
Angle de 1/2 sensibilité 65 ° | ||
Polarité Inverse | ||
Standard automobile Non | ||
Temps de Montée 0.6ns | ||
Tension disruptive 30V | ||
Courant d'obscurité 200pA | ||
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
Excellente réponse aux UV
Photodiodes, OSI Optoelectronics
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