Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier TO-8, 65 °, Ultraviolet

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Code commande RS:
848-6281
Référence fabricant:
UV-035EQ
Marque:
OSI Optoelectronics
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Marque

OSI Optoelectronics

Spectres détectés

Ultraviolet

Type de produit

Photo diode

Pic de sensibilité de longueur d'onde

720nm

Type de Boitier

TO-8

Emballage

Ruban et bobine

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

2

Longueur d'onde minimum détectée

320nm

Longueur d'onde maximum détectée

1100nm

Temps de chute

0.6ns

Température minimum de fonctionnement

-25°C

Amplifié

Non

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

5mm

Hauteur

5.21mm

Longueur

8mm

Angle de 1/2 sensibilité

65 °

Diamètre

13.97mm

Polarité

Inverse

Temps de Montée

0.6ns

Tension disruptive

30V

Standard automobile

Non

Courant d'obscurité

0.2nA

Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI


La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.

La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.

Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.

Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.

Caractéristiques de la série UV Enhanced :

Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires

Excellente réponse aux UV

Photodiodes, OSI Optoelectronics


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