Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier Boîtier en céramique, 65 °, Ultraviolet

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

244,40 €

HT

293,28 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 4244,40 €
5 - 9240,25 €
10 +237,31 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
848-6294
Référence fabricant:
PIN-UV-100DQC
Marque:
OSI Optoelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

OSI Optoelectronics

Spectres détectés

Ultraviolet

Type de produit

Photo diode

Pic de sensibilité de longueur d'onde

980nm

Type de Boitier

Boîtier en céramique

Emballage

Ruban et bobine

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

2

Longueur d'onde minimum détectée

190nm

Longueur d'onde maximum détectée

1100nm

Temps de chute

0.6ns

Amplifié

Non

Température minimum de fonctionnement

-25°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Largeur

14.99mm

Longueur

16.51mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

2.03mm

Angle de 1/2 sensibilité

65 °

Polarité

Inverse

Temps de Montée

0.6ns

Tension disruptive

30V

Standard automobile

Non

Courant d'obscurité

0.2nA

Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI


La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.

La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.

Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.

Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.

Caractéristiques de la série UV Enhanced :

Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires

Excellente réponse aux UV

Photodiodes, OSI Optoelectronics


Nos clients ont également consulté