Photo diode Non, OSI Optoelectronics, Traversant, boîtier Boîtier en céramique, 65 °, Ultraviolet
- Code commande RS:
- 848-6294
- Référence fabricant:
- PIN-UV-100DQC
- Marque:
- OSI Optoelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
195,52 €
HT
234,62 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 195,52 € |
| 5 - 9 | 192,20 € |
| 10 + | 189,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 848-6294
- Référence fabricant:
- PIN-UV-100DQC
- Marque:
- OSI Optoelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | OSI Optoelectronics | |
| Spectres détectés | Ultraviolet | |
| Type de produit | Photo diode | |
| Pic de sensibilité de longueur d'onde | 980nm | |
| Type de Boitier | Boîtier en céramique | |
| Type de montage | Traversant | |
| Emballage | Ruban et bobine | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Longueur d'onde minimum détectée | 190nm | |
| Longueur d'onde maximum détectée | 1100nm | |
| Temps de chute | 0.6ns | |
| Température minimum de fonctionnemen | -25°C | |
| Amplifié | Non | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Longueur | 16.51mm | |
| Largeur | 14.99mm | |
| Hauteur | 2.03mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Angle de 1/2 sensibilité | 65 ° | |
| Polarité | Inverse | |
| Standard automobile | Non | |
| Temps de Montée | 0.6ns | |
| Tension disruptive | 30V | |
| Courant d'obscurité | 200pA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque OSI Optoelectronics | ||
Spectres détectés Ultraviolet | ||
Type de produit Photo diode | ||
Pic de sensibilité de longueur d'onde 980nm | ||
Type de Boitier Boîtier en céramique | ||
Type de montage Traversant | ||
Emballage Ruban et bobine | ||
Nombre de broches 2 | ||
Longueur d'onde minimum détectée 190nm | ||
Longueur d'onde maximum détectée 1100nm | ||
Temps de chute 0.6ns | ||
Température minimum de fonctionnemen -25°C | ||
Amplifié Non | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Longueur 16.51mm | ||
Largeur 14.99mm | ||
Hauteur 2.03mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Angle de 1/2 sensibilité 65 ° | ||
Polarité Inverse | ||
Standard automobile Non | ||
Temps de Montée 0.6ns | ||
Tension disruptive 30V | ||
Courant d'obscurité 200pA | ||
- Pays d'origine :
- US
Photodiodes de la série UV Enhanced d'OSI
La série UV Enhanced d'OSI Optoelectronics est composée de photodiodes planaires au silicium à protection renforcées contre les UV. Cette série comprend deux familles de photodiodes séparées, à canal d'inversion et planaires diffusées. Ces deux familles sont conçues pour la détection de faible bruit dans la zone UV du spectre électromagnétique.
La famille à structure à couche d'inversion offre un rendement quantique interne de 100 %. Avec une résistance shunt élevée, un faible bruit et des tensions disruptives élevées, cette famille de photodiodes sont idéales pour les mesures de lumière de faible intensité.
Les photodiodes à structure planaire diffusée offrent une capacité inférieure et un temps de réponse plus long par rapport à la famille à inversion. La linéarité de leur photocourant va également jusqu'à une puissance d'entrée de lumière plus élevée par rapport aux photodiodes à couche d'inversion.
Applications adaptées à la série UV Enhanced : contrôle de la pollution, instruments médicaux, appareils exposés aux UV, spectroscopie, purification de l'eau et fluorescence.
Caractéristiques de la série UV Enhanced :
Photodiodes au silicium à couches d'inversion ou planaires
Excellente réponse aux UV
Photodiodes, OSI Optoelectronics
Nos clients ont également consulté
- Photo diode Non Traversant 65 °, Ultraviolet
- Photo diode Non Traversant 65 °, Ultraviolet
- Photo diode Non En surface Infrarouge
- Photo diode Non Traversant 65 °, Infrarouge
- Photo diode Non Traversant 65 °, Infrarouge
- Photo diode Non Traversant 65 °, Infrarouge
- Photo diode Non Traversant 65 °, Lumière visible
- Photo diode Non Traversant Infrarouge