Module de commande de grille BM3G007MUV-LBE2 650V, 46 broches, VQFN046V8080

L'étage de puissance ROHM Nano Cap EcoGaN 70mΩ 2MHz GaN HEMT est conçu pour un support à long terme dans les applications industrielles, offrant une densité de puissance et une efficacité élevées. L'intégration d'un HEMT GaN de 650V et d'un circuit d'attaque en silicium dans le boîtier original de ROHM permet de réduire considérablement l'inductance parasite par rapport aux solutions discrètes traditionnelles. Cela permet une vitesse de commutation élevée allant jusqu'à 150V/ns tout en maintenant une force d'entraînement de grille réglable pour une faible EMI. Le circuit intégré comprend diverses caractéristiques de protection et des fonctions supplémentaires afin d'optimiser le coût et la taille du circuit imprimé. Conçu pour être compatible avec les principaux contrôleurs existants, il remplace idéalement les commutateurs de puissance discrets traditionnels, tels que les MOSFET à super jonction.

Produit à longue durée de vie pour les applications industrielles
Large plage de fonctionnement pour la tension de la broche VDD
Large plage de fonctionnement pour la tension de la broche IN
Courant de repos et de fonctionnement à faible VDD
Faible délai de propagation
Sortie du signal de bonne alimentation
Résistance réglable de l'entraînement de la porte