GaN FET ROHM 1 11 A, 8 broches 650V

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Référence fabricant:
GNP1150TCA-ZE2
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

GaN FET

Courant de sortie

11A

Nombre de broches

8

Temps de descente

8.3ns

Nombre de sorties

1

Temps de montée

5.3ns

Nombre de drivers

1

Tension d'alimentation maximum

650V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

8mm

Hauteur

0.9mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

8mm

Série

GNP1150TCA-Z NA

Type de montage

En surface

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW
Le ROHM E-mode Gallium-Nitride (GaN) FET est un HEMT GaN 650V qui a atteint la classe FOM la plus élevée de l'industrie (Ron Ciss Ron Coss). Il s'agit d'un produit de la série EcoGaN qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en tirant le meilleur parti d'une faible résistance à l'enclenchement et d'une commutation à grande vitesse. La fonction de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) est intégrée pour une conception à haute fiabilité. En outre, les boîtiers très polyvalents offrent une excellente dissipation de la chaleur et facilitent le montage.

650V E-mode GaN FET

70mΩ Résistance

5,2nC Charge de porte

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