MOSFET MOSFET Texas Instruments 1 4 A, 5 broches 18V, SOT-23
- Code commande RS:
- 162-6792
- Référence fabricant:
- UCC27519DBVT
- Marque:
- Texas Instruments
Sous-total (250 unités, sur une bobine de 250)*
99,00 €
HT
118,75 €
TTC
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Dernier stock RS
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 250 + | 0,396 € | 99,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 162-6792
- Référence fabricant:
- UCC27519DBVT
- Marque:
- Texas Instruments
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant de sortie | 4A | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Temps de descente | 7ns | |
| Nombre de sorties | 5 | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Temps de montée | 8ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 18V | |
| Nombre de drivers | 1 | |
| Tension d'alimentation maximum | 18V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 140°C | |
| Série | UCC2751x | |
| Largeur | 1.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.45mm | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Type de montage | En surface | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant de sortie 4A | ||
Nombre de broches 5 | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Temps de descente 7ns | ||
Nombre de sorties 5 | ||
Type de driver MOSFET | ||
Temps de montée 8ns | ||
Tension d'alimentation minimum 18V | ||
Nombre de drivers 1 | ||
Tension d'alimentation maximum 18V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 140°C | ||
Série UCC2751x | ||
Largeur 1.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.45mm | ||
Longueur 3.05mm | ||
Type de montage En surface | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
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