Driver de MOSFET MIC4422YN, CMOS, TTL 9 A 18V, 8 broches, DIP
- Code commande RS:
- 177-0715
- Référence fabricant:
- MIC4422YN
- Marque:
- Microchip
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
2,982 €
HT
3,578 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
5 + | 2,982 € | 14,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 177-0715
- Référence fabricant:
- MIC4422YN
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- TH
Détail produit
Driver MOSFET de Microchip Technology
Le driver MOSFET de Microchip Technology est robuste, efficace et facile à utiliser. C'est un driver non inverseur. Le transistor MOSFET est capable de générer une sortie de 9 A (crête) et peut piloter les plus grands transistors MOSFET avec une marge de fonctionnement sûre améliorée. Il accepte n'importe quelle entrée logique de 2,4 V à VS sans condensateurs de vitesse externes ou réseaux de résistance. Les circuits propriétaires permettent à l'entrée de basculer négatif jusqu'à 5 V sans endommager les pièces.
Caractéristiques et avantages
Le processus entièrement isolé est intrinsèquement immunisé contre tout verrouillage
Le variateur de charge capacitif élevé est de 47 000 pF
Le courant de sortie de crête élevé est Peak
L'entrée résiste à une rotation négative jusqu'à 5 V.
Sans plomb (Pb)
Entrée logique élevée pour toute tension de 2,4 à VS
Faible capacité d'entrée équivalente
Faible impédance de sortie
Faible courant d'alimentation de 450 μA avec entrée logique 1
La largeur d'impulsion minimale est de 50 ns
Les plages de températures de jonction de fonctionnement sont comprises entre -40 et 150 °C.
plages de tension d'alimentation entre 4,5 et 18 V.
Le variateur de charge capacitif élevé est de 47 000 pF
Le courant de sortie de crête élevé est Peak
L'entrée résiste à une rotation négative jusqu'à 5 V.
Sans plomb (Pb)
Entrée logique élevée pour toute tension de 2,4 à VS
Faible capacité d'entrée équivalente
Faible impédance de sortie
Faible courant d'alimentation de 450 μA avec entrée logique 1
La largeur d'impulsion minimale est de 50 ns
Les plages de températures de jonction de fonctionnement sont comprises entre -40 et 150 °C.
plages de tension d'alimentation entre 4,5 et 18 V.
Applications
Amplificateurs de commutation de classe D.
Modules de circuit parallèle MOSFET ou IGBT à entraînement
Conducteurs de ligne
Commutateur marche/arrêt d'alimentation locale
Commandes de moteur
Générateurs d'impulsions
Conducteurs de transformateur d'impulsions
Alimentations à découpage
Modules de circuit parallèle MOSFET ou IGBT à entraînement
Conducteurs de ligne
Commutateur marche/arrêt d'alimentation locale
Commandes de moteur
Générateurs d'impulsions
Conducteurs de transformateur d'impulsions
Alimentations à découpage
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
BS EN 61340-5-1:2007
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type logique | CMOS, TTL |
Courant de sortie | 9 A |
Tension d'alimentation | 18V |
Nombre de broches | 8 |
Type de boîtier | DIP |
Temps de descente | 120ns |
Nombre de sorties | 1 |
Temps de montée | 120ns |
Topologie | Low Side |
Temporisation | 80ns |
Nombre de drivers | 1 |
Polarité | Sans inversion |
Type de montage | Traversant |
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