MOSFET MOSFET Renesas Electronics 3.4 A, 8 broches 20V, SOIC

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Code commande RS:
201-3366
Référence fabricant:
HIP2211FBZ-T7A
Marque:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Type de produit

MOSFET

Courant de sortie

3.4A

Nombre de broches

8

Type de Boitier

SOIC

Temps de descente

365ns

Nombre de sorties

2

Type de driver

MOSFET

Temps de montée

435ns

Tension d'alimentation minimum

18V

Tension d'alimentation maximum

20V

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.75mm

Série

HIP2211

Longueur

5mm

Largeur

4mm

Normes/homologations

No

Type de montage

En surface

Standard automobile

Non

Le driver de transistor FET NMOS demi-pont haute fréquence à dissipateur 4 A source 3 A de Renesas 100 V appartient à la série HIP2211. Ce driver est doté d'une configuration à 8 broches. Il est doté d'une entrée PWM à trois niveaux avec temps mort programmable.

Temps de propagation et correspondance rapides avec temporisation typique de 15 ns et correspondance typique de 2 ns

Il est doté d'une diode d'amorçage standard de 0,5° intégrée

La tension maximale d'alimentation d'amorçage 115 V c.c. prend en charge 100 V sur le demi-pont

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