Commande de grille MOSFET STMicroelectronics 3 600 mA, 28 broches 78 V, SOIC

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Code commande RS:
210-8288
Référence fabricant:
STDRIVE101
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Commande de grille

Courant de sortie

600mA

Nombre de broches

28

Type de Boitier

SOIC

Temps de descente

120ns

Type de driver

MOSFET

Temps de montée

120ns

Tension d'alimentation minimum

-0.3V

Tension d'alimentation maximum

78V

Nombre de drivers

3

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

4.15mm

Type de montage

Surface

Standard automobile

Non

Le STDRIVE101 est un driver de grille basse tension adapté pour piloter des moteurs brushless triphasés.

Il s'agit d'une puce simple avec trois drivers de grille demi-pont pour transistors MOSFET de puissance à canal N. Chaque driver est doté d'une capacité de courant de 600 mA (dissipateur/source). Il intègre un régulateur linéaire à faible chute générant la tension d'alimentation pour les pilotes de grille côté bas et côté haut par le biais d'un circuit d'amorçage.

Le dispositif fournit un verrouillage de sous-tension (UVLO) sur les sections côté bas et côté haut, empêchant les interrupteurs d'alimentation de fonctionner dans des conditions à faible rendement ou dangereuses.

La logique de commande intégrée dans le STDRIVE101 permet deux stratégies d'entrée (côté haut et côté bas ou signaux d'activation et de commande PWM). La méthode d'entraînement est sélectionnée en fonction de la broche DT/MODE. Dans les deux cas, la prévention de la conduction croisée est assurée par le verrouillage ou le temps mort généré en interne.

Le STDRIVE101 est également doté d'une protection de surveillance VDS pour chaque MOSFET externe, d'un arrêt thermique et peut être mis en mode veille pour réduire la consommation électrique.

Le dispositif est disponible dans une option de boîtier VFQFPN 4 x 4 à 24 fils.

•Tension d'utilisation de 5,5 à 75 V

•Capacité de courant de dissipation/source de 600 mA

•Logique de commande 3,3 V et 5 V

•Deux stratégies d'entrée :

oENx/INx avec génération de temps mort ajustable

oINHx/INLx avec verrouillage

•Délai de propagation adapté pour tous les canaux

•Délai de propagation très court : 40 ns

•Diodes d'amorçage intégrées

•Régulateur linéaire LDO 12 V (50 mA max.)

•Moniteur VDS intégré pour chaque transistor MOSFET externe

•Comparateur de surintensités

•Protection contre les UVLO et l'arrêt thermique

•Mode veille pour un fonctionnement à faible consommation de courant

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