AEC-Q100 Module IGBT IGBT onsemi 1 6.5 A, 8 broches 20V, SOIC
- Code commande RS:
- 221-6660
- Référence fabricant:
- NCV57080BDR2G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,216 € | 11,08 € | - |
| 50 - 95 | 1,908 € | 9,54 € | 15,40 € |
| 100 - 495 | 1,654 € | 8,27 € | 56,20 € |
| 500 - 995 | 1,456 € | 7,28 € | 380,00 € |
| 1000 + | 1,324 € | 6,62 € | 892,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 221-6660
- Référence fabricant:
- NCV57080BDR2G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant de sortie | 6.5A | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Temps de descente | 13ns | |
| Nombre de sorties | 5 | |
| Type de driver | IGBT | |
| Temps de montée | 13ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 22V | |
| Tension d'alimentation maximum | 20V | |
| Nombre de drivers | 1 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | NCx57080y | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Type de montage | En surface | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant de sortie 6.5A | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Temps de descente 13ns | ||
Nombre de sorties 5 | ||
Type de driver IGBT | ||
Temps de montée 13ns | ||
Tension d'alimentation minimum 22V | ||
Tension d'alimentation maximum 20V | ||
Nombre de drivers 1 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série NCx57080y | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Type de montage En surface | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
on Semiconductor NCD57080B est un driver de grille IGBT à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne de 3,75 kVRMS, conçu pour un haut rendement du système et une grande fiabilité dans les applications à haute puissance. Le dispositif accepte une entrée complémentaire et, selon la configuration de broche, offre des options telles que la pince Miller active, l'alimentation négative et une sortie de driver élevée et faible séparée pour plus de commodité de conception du système.
Immunité transitoire élevée
Haute immunité électromagnétique
Délais de propagation courts avec adaptation précise
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