Driver de MOSFET 1EDF5673FXUMA1, CMOS 8 A 4V, 16 broches, PG-DSO-16-11
- Code commande RS:
- 222-4759
- Référence fabricant:
- 1EDF5673FXUMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,558 € | 7,79 € |
| 25 - 45 | 1,356 € | 6,78 € |
| 50 - 120 | 1,318 € | 6,59 € |
| 125 - 245 | 1,284 € | 6,42 € |
| 250 + | 1,25 € | 6,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4759
- Référence fabricant:
- 1EDF5673FXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type logique | CMOS | |
| Courant de sortie | 8 A | |
| Tension d'alimentation | 4V | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Temps de descente | 4.5ns | |
| Type de boîtier | PG-DSO-16-11 | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type logique CMOS | ||
Courant de sortie 8 A | ||
Tension d'alimentation 4V | ||
Nombre de broches 16 | ||
Temps de descente 4.5ns | ||
Type de boîtier PG-DSO-16-11 | ||
Type de driver MOSFET | ||
Le CI de driver de grille à simple canal galvanique à isolation galvanique Infineon 1EDF5673F est un ajustement parfait pour les HEMT en nitrure de gallium (GaN) en mode d'enrichissement (mode e) avec porte non isolée (caractéristique d'entrée de diode) et tension de seuil faible, tels que CoolGaN. Il garantit un fonctionnement de commutateur GaN haute tension robuste et extrêmement efficace tout en minimisant simultanément les efforts de R&D et en raccourcissant le temps de mise sur le marché.
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