- Code commande RS:
- 233-6802
- Référence fabricant:
- NCD57090FDWR2G
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
1,369 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
1000 + | 1,369 € | 1 369,00 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 233-6802
- Référence fabricant:
- NCD57090FDWR2G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
on Semiconductor NCD57090FDWR2G est un driver de grille IGBT/MOSFET à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne 5 kVRMS, conçu pour un haut rendement du système et une grande fiabilité dans les applications à haute puissance. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires et, selon la configuration de broche, offrent des options telles que l'attache Miller active pour plus de commodité de conception du système. Il est doté d'une faible chute de tension de serrage qui élimine le besoin d'une alimentation négative pour empêcher la mise sous tension de la porte. Le driver accepte une large gamme de tensions de polarisation d'entrée et de niveaux de signal de 3,3 à 20 V et est disponible dans un boîtier SOIC-8 à corps large.
Il est doté d'un courant de sortie Peak élevé (+6,5 A/6,5 A)
Il fournit de courts délais de propagation avec une adaptation précise
Il offre un serrage de porte IGBT/MOSFET pendant les courts-circuits
Il fournit de courts délais de propagation avec une adaptation précise
Il offre un serrage de porte IGBT/MOSFET pendant les courts-circuits
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant de sortie | 6,5 A |
Tension d'alimentation | 22V |
Nombre de broches | 8 |
Type de boîtier | SOIC |
Temps de descente | 13ns |
Nombre de drivers | 1 |
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