MOSFET MOSFET Infineon 1 A, 11 broches 11 V, PG-VSON-10
- Code commande RS:
- 240-8522
- Référence fabricant:
- 1EDN7136GXTMA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
2,94 €
HT
3,53 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,588 € | 2,94 € |
| 50 - 120 | 0,512 € | 2,56 € |
| 125 - 245 | 0,482 € | 2,41 € |
| 250 - 495 | 0,446 € | 2,23 € |
| 500 + | 0,412 € | 2,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 240-8522
- Référence fabricant:
- 1EDN7136GXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant de sortie | 1A | |
| Nombre de broches | 11 | |
| Temps de descente | 5.5ns | |
| Type de Boitier | PG-VSON-10 | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Tension d'alimentation minimum | 11V | |
| Tension d'alimentation maximum | 11V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant de sortie 1A | ||
Nombre de broches 11 | ||
Temps de descente 5.5ns | ||
Type de Boitier PG-VSON-10 | ||
Type de driver MOSFET | ||
Tension d'alimentation minimum 11V | ||
Tension d'alimentation maximum 11V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
L'Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7113G est un circuit intégré de commande de grille à un canal optimisé pour la compatibilité avec les HEMT CoolGaN™, et il est également compatible avec d'autres HEMT GaN à porte Schottky (SG) et les MOSFET au silicium, Grâce à la fonction d'entrée réellement différentielle (TDI), l'état de sortie de la commande de grille est exclusivement contrôlé par la différence de tension entre les deux entrées, totalement indépendante du potentiel de référence (masse) de la commande tant que la tension de mode commun est inférieure à 150 V (statique) et 200 V (dynamique). Cela élimine le risque de faux déclenchement dû à un rebond à la masse dans les applications côté bas, tout en permettant au 1EDN7113G de s'adresser même aux applications côté haut.
Évite les déclenchements intempestifs en mode low-side ou high-side
Plage de tension d'entrée en mode commun élevée pour un fonctionnement côté haut
Fonctionnement robuste pendant les transitoires de commutation rapides
Compatible avec une logique d'entrée de 3,3 V ou 5 V
Pince de Miller active avec une capacité d'absorption de 5 A pour éviter les mises sous tension induites
Pompe de charge réglable pour une tension d'alimentation négative à l'extinction
Convient pour piloter des GaN HEMT ou des Si MOSFET
Qualifié selon le JEDEC pour les applications cibles.
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