- Code commande RS:
- 185-8093
- Référence fabricant:
- NCV1063AD100R2G
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 185-8093
- Référence fabricant:
- NCV1063AD100R2G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
Transistor MOSFET 670 V intégré avec RDS(on) de 11,4 Ω
Grande distance de fuite entre les broches haute tension
Courant Peak ajustable jusqu'à 650 mA
Connexion à rétroaction directe pour convertisseur non isolé
Circuit interne et ajustable de protection contre les surtensions (OPP)
Protection contre les courts-circuits à récupération automatique avec détection synchronisée
Modulation de fréquence (y compris pendant le mode de retour de fréquence)
Fonctionnement à fréquence fixe en mode courant - 60 ou 100 kHz
Fonctionnement par repli de fréquence
Capacité de conception SMPS jusqu'à 12 W en sortie
Conception plus sûre et plus robuste même avec les boîtiers CMS
Evolutivité de conception améliorée
Conceptions plus simples et à moindre coût Buck ou Buck-Boost
Technique propriétaire non dissipative pour protéger la charge
Fournit une protection plus robuste sans se soucier du couplage du bobinage auxiliaire
Meilleure signature IEM sur toute la plage de fonctionnement
Ability to scale pour l'efficacité ou la taille
Rendement amélioré à charge légère/IEM amélioré sur l'ensemble des conditions de charge
Pour toute conception à faible consommation alimentée par batterie EV
Applications
Alimentation auxiliaire EV
Produits finis
Chargeurs intégrés
Inverseurs de traction
Grande distance de fuite entre les broches haute tension
Courant Peak ajustable jusqu'à 650 mA
Connexion à rétroaction directe pour convertisseur non isolé
Circuit interne et ajustable de protection contre les surtensions (OPP)
Protection contre les courts-circuits à récupération automatique avec détection synchronisée
Modulation de fréquence (y compris pendant le mode de retour de fréquence)
Fonctionnement à fréquence fixe en mode courant - 60 ou 100 kHz
Fonctionnement par repli de fréquence
Capacité de conception SMPS jusqu'à 12 W en sortie
Conception plus sûre et plus robuste même avec les boîtiers CMS
Evolutivité de conception améliorée
Conceptions plus simples et à moindre coût Buck ou Buck-Boost
Technique propriétaire non dissipative pour protéger la charge
Fournit une protection plus robuste sans se soucier du couplage du bobinage auxiliaire
Meilleure signature IEM sur toute la plage de fonctionnement
Ability to scale pour l'efficacité ou la taille
Rendement amélioré à charge légère/IEM amélioré sur l'ensemble des conditions de charge
Pour toute conception à faible consommation alimentée par batterie EV
Applications
Alimentation auxiliaire EV
Produits finis
Chargeurs intégrés
Inverseurs de traction
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Fréquence de découpage maximum | 100 kHz |
Tension de sortie | 670 V |
Courant de sortie | 780 mA |
Temps de descente | 10ns |
Type de montage | CMS |
Temps de montée | 20ns |
Type de boîtier | SOIC |
Nombre de broches | 16 |
Rapport cyclique maximum | 72% |
Dimensions | 10 x 4 x 1.5mm |
Longueur | 10mm |
Type de contrôleur de PWM | Mode de courant |
Largeur | 4mm |
Hauteur | 1.5mm |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Standard automobile | AEC-Q100 |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 9 V |
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