Relais statique Panasonic PhotoMOS SPST, En surface, 400 V, 0.3 A
- Code commande RS:
- 205-6858
- Référence fabricant:
- AQV214EHA
- Marque:
- Panasonic
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,919 € | 145,95 € |
| 100 - 100 | 2,838 € | 141,90 € |
| 150 + | 2,762 € | 138,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-6858
- Référence fabricant:
- AQV214EHA
- Marque:
- Panasonic
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Panasonic | |
| Courant de charge maximal | 0.3A | |
| Type de produit | Relais statique | |
| Type de montage | En surface | |
| Tension de charge maximale | 400V | |
| Tension de charge minimale | 320V | |
| Série | PhotoMOS | |
| Type de terminaison | Traversant | |
| Configuration de contact | SPST | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Résistance d'état sous tension | 50Ω | |
| Fonction de commutation | Commutation c.a./c.c. | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Type de sortie | MOSFET | |
| Capacitance | 1.5pF | |
| Courant de fuite à l'état bloqué | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Panasonic | ||
Courant de charge maximal 0.3A | ||
Type de produit Relais statique | ||
Type de montage En surface | ||
Tension de charge maximale 400V | ||
Tension de charge minimale 320V | ||
Série PhotoMOS | ||
Type de terminaison Traversant | ||
Configuration de contact SPST | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Résistance d'état sous tension 50Ω | ||
Fonction de commutation Commutation c.a./c.c. | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Type de sortie MOSFET | ||
Capacitance 1.5pF | ||
Courant de fuite à l'état bloqué 1μA | ||
- Pays d'origine :
- JP
Type Panasonic DIP6 broches.
Isolation renforcée de la tension d'isolation d'E/S 5 000 V.
Commande les signaux analogiques de bas niveau
Résistance stable
Courant de fuite d'état d'arrêt de bas niveau de max. 1 μA
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