Relais statique Omron G3VM, 0,15 A, Montage sur CI, 1,3 V, 350 V c.a.
- Code commande RS:
- 480-1065
- Référence fabricant:
- G3VM-353A
- Marque:
- Omron
4 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
92 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour la pièce
3,15 €
HT
3,78 €
TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 4 | 3,15 € |
| 5 - 9 | 3,01 € |
| 10 + | 2,95 € |
- Code commande RS:
- 480-1065
- Référence fabricant:
- G3VM-353A
- Marque:
- Omron
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- JP
Détail produit
Relais statiques G3VM MOSFET
Relais statique avec sortie MOSFET et entrée photo-LED
Combine les avantages de la technologie mécanique et des semi-conducteurs
Faible résistance et capacité de sortie
Longue durée de vie.
Large gamme de modèles disponibles
Idéal pour les solutions de télécommunications, notamment les fonctions de prise de ligne, de commutation, de crochet commutateur, de transformateur d'isolement et autres fonctions de téléphonie
Combine les avantages de la technologie mécanique et des semi-conducteurs
Faible résistance et capacité de sortie
Longue durée de vie.
Large gamme de modèles disponibles
Idéal pour les solutions de télécommunications, notamment les fonctions de prise de ligne, de commutation, de crochet commutateur, de transformateur d'isolement et autres fonctions de téléphonie
Relais statique à usage général MOSFET série G3VM-353A.
Le relais G3VM-353A fait partie de la série G3VM-W mise à niveau qui offre de nombreux avantages. Relais à boîtier NF (normalement fermé) à montage traversant, DIP 4 (double en ligne) avec 4 bornes de circuit imprimé et une tension de charge de 350 V.
Caractéristiques et avantages du relais statique à usage général G3VM-353A.
• Relais statique avec transistor MOSFET.
• DIP 4 - (boîtier DIL).
• Forme de contact 1NO-NF 1b (normalement fermé).
• Relais à montage traversant.
• Bornes de carte.
• 4 bornes de relais.
• Tension de charge 350 V c.a.
• Courant de charge 150 mA maximum.
• Résistance maximale avec état passant 15 Ω.
• Fuite de courant lorsque le relais est ouvert 1 000 nA maximum.
• Capacité entre les bornes 85 pF.
• Activation relais statique 1 ms maximum.
• Relais statique - activation 3 ms maximum.
• Rigidité diélectrique entre E/S 2 500 Vrms.
• Conforme à la norme RoHS.
• DIP 4 - (boîtier DIL).
• Forme de contact 1NO-NF 1b (normalement fermé).
• Relais à montage traversant.
• Bornes de carte.
• 4 bornes de relais.
• Tension de charge 350 V c.a.
• Courant de charge 150 mA maximum.
• Résistance maximale avec état passant 15 Ω.
• Fuite de courant lorsque le relais est ouvert 1 000 nA maximum.
• Capacité entre les bornes 85 pF.
• Activation relais statique 1 ms maximum.
• Relais statique - activation 3 ms maximum.
• Rigidité diélectrique entre E/S 2 500 Vrms.
• Conforme à la norme RoHS.
Caractéristiques supplémentaires du relais statique à usage général G3VM-353A
• Longue durée de vie utile.
• Petit courant de fuite.
• Relais statique avec excellente résistance aux chocs.
• Haute isolation.
• Silencieux.
• Commutation haute vitesse.
• Contrôle du micro signal analogique.
• Entrée photo-LED.
• Sortie d'état.
• Compact.
• Petit courant de fuite.
• Relais statique avec excellente résistance aux chocs.
• Haute isolation.
• Silencieux.
• Commutation haute vitesse.
• Contrôle du micro signal analogique.
• Entrée photo-LED.
• Sortie d'état.
• Compact.
Autres exemples d'application.
• Equipement d'essai et de mesure.
• Equipement de communication.
• Equipement industriel.
• Circuit d'alimentation.
• Equipement de sécurité.
• Equipement de communication.
• Equipement industriel.
• Circuit d'alimentation.
• Equipement de sécurité.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant de charge maximal | 0,15 A |
| Type de montage | Montage sur CI |
| Tension de charge maximale | 350 V c.a. |
| Tension de charge minimale | 0 V c.a. |
| Tension de commande maximale | 1,3 V |
| Type de commutation | c.c. |
| Gamme de tension de commande | 1,3 V maximum |
| Courant de charge minimal | 100 mA |
| Type de raccordement | Broche CI |
| Configuration de contact | 1 NF |
| Type de sortie | Transistor MOS |
| Type de boîtier | PDIP |
| Série | G3VM |
| Gamme de tension de charge | 0 → 350V c.a. |
| Dimensions | 4.58 x 6.4 x 3.65mm |
| Hauteur | 3.7mm |
| Longueur | 4.6mm |
| Température de fonctionnement minimale | -40°C |
| Température de fonctionnement maximale | +85°C |
| Courant de fuite à l'état bloqué | 50 mA |
| Profondeur | 6.4mm |
| Plage de température d'utilisation | -40 → +85°C |