SDRAM AEC-Q100 Alliance Memory, 4 GB Surface 8 bit 105 °C -40 °C 78 broches, FBGA-78 billes
- Code commande RS:
- 425-185
- Référence fabricant:
- AS4C512M8D3LC-10BANTR
- Marque:
- Alliance Memory
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
28 270,00 €
HT
33 925,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 11,308 € | 28 270,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 425-185
- Référence fabricant:
- AS4C512M8D3LC-10BANTR
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 4GB | |
| Configuration | 512M x 8 | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 933MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-78 billes | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de broches | 78 | |
| Température d'utilisation maximum | 105°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Longueur | 10.70mm | |
| Largeur | 7.6 mm | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC | |
| Série | AS4C512M8D3LC | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.35V | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.283V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 4GB | ||
Configuration 512M x 8 | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 933MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-78 billes | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de broches 78 | ||
Température d'utilisation maximum 105°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Longueur 10.70mm | ||
Largeur 7.6 mm | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC | ||
Série AS4C512M8D3LC | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 1.35V | ||
Tension d'alimentation minimum 1.283V | ||
- Pays d'origine :
- TW
Les DRAM Alliance Memory 4 Go Double-Data-Rate-3 (DDR3L) sont dotées d'une architecture à double débit de données afin d'assurer un fonctionnement à haut débit. La puce est conçue pour se conformer à toutes les caractéristiques clés de la DRAM DDR3L, et toutes les entrées de contrôle et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles fournies en externe.
Ajustement de l'écriture
Étalonnage ZQ
Conforme RoHS
Actualisation automatique et auto-actualisation