SDRAM LPDDR mobile Winbond, 512 MB Surface 32 bit 85 °C -40 °C 90 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2577
- Référence fabricant:
- W949D2DBJX5I
- Marque:
- Winbond
Indisponible
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- Code commande RS:
- 188-2577
- Référence fabricant:
- W949D2DBJX5I
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Taille de la mémoire | 512MB | |
| Type de produit | SDRAM LPDDR mobile | |
| Configuration | 64M x 8 Bit | |
| Largeur de bus de données | 32bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 15bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 200MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 5ns | |
| Nombre de mots | 64M | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 90 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 0.65mm | |
| Série | W949D2DB | |
| Normes/homologations | LVCMOS Compatible | |
| Largeur | 8.1 mm | |
| Longueur | 13.1mm | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.95V | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Taille de la mémoire 512MB | ||
Type de produit SDRAM LPDDR mobile | ||
Configuration 64M x 8 Bit | ||
Largeur de bus de données 32bit | ||
Largeur de bus d'adresse 15bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 200MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 5ns | ||
Nombre de mots 64M | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Nombre de broches 90 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 0.65mm | ||
Série W949D2DB | ||
Normes/homologations LVCMOS Compatible | ||
Largeur 8.1 mm | ||
Longueur 13.1mm | ||
Tension d'alimentation minimum 1.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 1.95V | ||
Standard automobile Non | ||
VDD = 1,7 à 1 ,95 V
VDDQ = 1,7 ∼ 1 ,95 V.
Largeur des données : x16/x32
Fréquence d'horloge : 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Mode autoactualisation standard
Actualisation automatique partielle de réseau (PASR)
Auto-actualisation à compensation de température (ATCSR)
Mode de mise hors tension
Mode de mise hors tension profonde (mode DPD)
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Masque de données (DM) pour l'écriture de données
Capacité d'arrêt d'horloge pendant les périodes d'inactivité
Option de précharge automatique pour chaque accès à la rupture
Double débit de données pour la sortie de données
Entrées d'horloge différentielle (CK et CK)
Stroboscope de données bidirectionnel (DQS)
Latence CAS : 2 et 3
Longueur d'éclatement : 2, 4, 8 et 16
Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
8 K cycles de rafraîchissement/64 mS
Interface : compatible LVCMOS
Boîtier de support :
60 billes VFBGA (x16)
90 billes VFBGA (x32)
Indice de température de fonctionnement
Extension : -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industriel : -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Il s'agit d'une SDRAM DDR à faible consommation de 512 Mo organisée en 2 mots x 4 banques x 32 bits.
Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur