SDRAM, W949D2DBJX5I, 512Mbit, 200MHz, 1,7 à 1,95 V, VFBGA 90 broches LPDDR

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Code commande RS:
188-2577
Référence fabricant:
W949D2DBJX5I
Marque:
Winbond
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Marque

Winbond

Taille mémoire

512Mbit

Configuration

64 Mb x 8 bits

Classe SDRAM

LPDDR

Débit de données

200MHz

Largeur de bus de données

32bit

Largeur de bus d'adresse

15bit

Nombre de bits par mot

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

5ns

Nombre de mots

64M

Type de montage

CMS

Type de boîtier

VFBGA

Nombre de broches

90

Dimensions

13.1 x 8.1 x 0.65mm

Hauteur

0.65mm

Longueur

13.1mm

Tension d'alimentation de fonctionnement minimum

1,7 V

Température d'utilisation maximum

+85 °C

Largeur

8.1mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Tension d'alimentation fonctionnement maximum

1,95 V

VDD = 1,7 à 1 ,95 V
VDDQ = 1,7 ∼ 1 ,95 V.
Largeur des données : x16/x32
Fréquence d'horloge : 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Mode autoactualisation standard
Actualisation automatique partielle de réseau (PASR)
Auto-actualisation à compensation de température (ATCSR)
Mode de mise hors tension
Mode de mise hors tension profonde (mode DPD)
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Masque de données (DM) pour l'écriture de données
Capacité d'arrêt d'horloge pendant les périodes d'inactivité
Option de précharge automatique pour chaque accès à la rupture
Double débit de données pour la sortie de données
Entrées d'horloge différentielle (CK et CK)
Stroboscope de données bidirectionnel (DQS)
Latence CAS : 2 et 3
Longueur d'éclatement : 2, 4, 8 et 16
Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
8 K cycles de rafraîchissement/64 mS
Interface : compatible LVCMOS
Boîtier de support :
60 billes VFBGA (x16)
90 billes VFBGA (x32)
Indice de température de fonctionnement
Extension : -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industriel : -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Il s'agit d'une SDRAM DDR à faible consommation de 512 Mo organisée en 2 mots x 4 banques x 32 bits.

Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur

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