SDRAM LPDDR mobile Winbond, 512 MB Surface 16 bit 85 °C -40 °C 60 broches, VFBGA
- Code commande RS:
- 188-2676P
- Référence fabricant:
- W949D6DBHX5I
- Marque:
- Winbond
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 - 20 | 3,214 € |
| 25 - 45 | 3,13 € |
| 50 - 95 | 3,05 € |
| 100 + | 2,974 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-2676P
- Référence fabricant:
- W949D6DBHX5I
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Type de produit | SDRAM LPDDR mobile | |
| Taille de la mémoire | 512MB | |
| Configuration | 64M x 8 Bit | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 15bit | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 200MHz | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 5ns | |
| Nombre de mots | 64M | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | VFBGA | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de broches | 60 | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Largeur | 8.1 mm | |
| Série | W949D6DB | |
| Hauteur | 0.65mm | |
| Longueur | 9.1mm | |
| Normes/homologations | LVCMOS Compatible | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.95V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Type de produit SDRAM LPDDR mobile | ||
Taille de la mémoire 512MB | ||
Configuration 64M x 8 Bit | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Largeur de bus d'adresse 15bit | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Fréquence d'horloge maximum 200MHz | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 5ns | ||
Nombre de mots 64M | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier VFBGA | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de broches 60 | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Largeur 8.1 mm | ||
Série W949D6DB | ||
Hauteur 0.65mm | ||
Longueur 9.1mm | ||
Normes/homologations LVCMOS Compatible | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation minimum 1.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 1.95V | ||
- Pays d'origine :
- TW
Il s'agit d'une SDRAM DDR à faible consommation de 512 Mo organisée en 4 mots x 4 banques x 16 bits.
Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur