SDRAM Alliance Memory, 8 GB Surface 16 bit 95 °C -40 °C 96 broches, FBGA-78 billes
- Code commande RS:
- 259-2119
- Référence fabricant:
- AS4C1G8D4-75BIN
- Marque:
- Alliance Memory
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 259-2119
- Référence fabricant:
- AS4C1G8D4-75BIN
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille de la mémoire | 8GB | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Configuration | 1G x 8 | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1333MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-78 billes | |
| Nombre de broches | 96 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Longueur | 13mm | |
| Série | AS4C1G8D4 | |
| Largeur | 1.1 mm | |
| Hauteur | 7.5mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.26V | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.14V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille de la mémoire 8GB | ||
Type de produit SDRAM | ||
Configuration 1G x 8 | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 1333MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-78 billes | ||
Nombre de broches 96 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Longueur 13mm | ||
Série AS4C1G8D4 | ||
Largeur 1.1 mm | ||
Hauteur 7.5mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation maximum 1.26V | ||
Tension d'alimentation minimum 1.14V | ||
DRAM synchrone Alliance Memory avec classe de mémoire DDR4. Il est doté d'une pseudo-interface de drain ouvert de 1,2 V avec architecture de pré-extraction 8 n.
Densité : 8 Go
Organisation : 512 M x 16
Boîtier : FBGA 96 billes
Vitesse : 1 333 MHz
Temp. plage (°C) : 0 à +95
Formation interne VREFDQ
Nivellement d'écriture et de lecture
Applications :
Electronique portable, comme les smartphones et les tablettes
Conceptions 5G, applications informatiques, systèmes de surveillance, compteurs intelligents, interfaces homme-machine (HMI), contrôleurs de signaux numériques et PND