Redresseur silicium contrôlé Bourns, 25 V 50 A 3 V, 2 broches
- Code commande RS:
- 773-4643
- Référence fabricant:
- TISP4040H1BJR-S
- Marque:
- Bourns
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,50 € | 12,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 773-4643
- Référence fabricant:
- TISP4040H1BJR-S
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Type de produit | Redresseur silicium contrôlé | |
| Tension inverse de crête Répétitive VDRM | 25V | |
| Courant de surcharge | 50A | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant de maintien maximum Ih | 50mA | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.237mm | |
| Longueur | 4.57mm | |
| Largeur | 3.94 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | VLV Overvoltage Protector | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de crête répétitif à l'état bloqué | 5μA | |
| Tension de crête à l'état passant | 3V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Type de produit Redresseur silicium contrôlé | ||
Tension inverse de crête Répétitive VDRM 25V | ||
Courant de surcharge 50A | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant de maintien maximum Ih 50mA | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.237mm | ||
Longueur 4.57mm | ||
Largeur 3.94 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série VLV Overvoltage Protector | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de crête répétitif à l'état bloqué 5μA | ||
Tension de crête à l'état passant 3V | ||
- Pays d'origine :
- TW
Le Bourns Electronics TISP4040H1BJR-S est une gamme de dispositifs de protection contre les surtensions à thyristor bidirectionnels de Bourns Electronics. Les dispositifs sont conçus principalement pour limiter les surtensions sur les lignes de télécommunications numériques et les circuits de données basse tension.
Capacité faible
Très basse tension de sécurité, SELV,
Valeurs de la zone de répartition Ion-Implited
Tension précise et stable
Dépassement de basse tension sous surtension