Transformateur d'impulsion Bourns, Ratio 2.0 ± 3 % 80 μH En surface 0.2Ω
- Code commande RS:
- 260-8443
- Référence fabricant:
- HCTSM150102HL-E
- Marque:
- Bourns
Sous-total (1 bobine de 200 unités)*
1 216,80 €
HT
1 460,20 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 200 + | 6,084 € | 1 216,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 260-8443
- Référence fabricant:
- HCTSM150102HL-E
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Impédance au primaire | 80μH | |
| Type de produit | Transformateur d'impulsion | |
| Resistance DC au primaire | 0.2Ω | |
| Résistance DC au secondaire | 0.35Ω | |
| Ratio enroulement primaire/secondaire | 2.0 ± 3 % | |
| Type de montage | En surface | |
| Inductance de fuite | 4μH | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | IEC/UL 62368-1, IEC/UL 60664-1 | |
| Profondeur | 9.6mm | |
| Largeur | 15mm | |
| Longueur | 21.3mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Impédance au primaire 80μH | ||
Type de produit Transformateur d'impulsion | ||
Resistance DC au primaire 0.2Ω | ||
Résistance DC au secondaire 0.35Ω | ||
Ratio enroulement primaire/secondaire 2.0 ± 3 % | ||
Type de montage En surface | ||
Inductance de fuite 4μH | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations IEC/UL 62368-1, IEC/UL 60664-1 | ||
Profondeur 9.6mm | ||
Largeur 15mm | ||
Longueur 21.3mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transformateur Bourns à dégagement élevé et distance de fuite est doté d'un noyau toroïdal pour un couplage élevé et un faible rayonnement, conçu pour les alimentations d'isolation utilisant TI SN6501 et SN6505B.
Conforme aux normes CEI/UL 60664-1 et CEI/UL 62368-1
Isolation renforcée pour une tension de fonctionnement jusqu'à 1 500 V c. c.
Le potentiel élevé est jusqu'à 7 640 V c. a.
Niveau de décharge partielle jusqu'à 2 250 V (Ut = 1 800 V)
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