Transformateur d'impulsion Bourns, Ratio 2.0 ± 3 % 80 μH Surface 0.2Ω
- Code commande RS:
- 260-8443
- Référence fabricant:
- HCTSM150102HL-E
- Marque:
- Bourns
Sous-total (1 bobine de 200 unités)*
1 216,80 €
HT
1 460,20 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 200 + | 6,084 € | 1 216,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 260-8443
- Référence fabricant:
- HCTSM150102HL-E
- Marque:
- Bourns
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Type de produit | Transformateur d'impulsion | |
| Impédance au primaire | 80μH | |
| Resistance DC au primaire | 0.2Ω | |
| Résistance DC au secondaire | 0.35Ω | |
| Ratio enroulement primaire/secondaire | 2.0 ± 3 % | |
| Type de montage | Surface | |
| Inductance de fuite | 4μH | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Profondeur | 9.6mm | |
| Longueur | 21.3mm | |
| Largeur | 15mm | |
| Normes/homologations | IEC/UL 62368-1, IEC/UL 60664-1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Type de produit Transformateur d'impulsion | ||
Impédance au primaire 80μH | ||
Resistance DC au primaire 0.2Ω | ||
Résistance DC au secondaire 0.35Ω | ||
Ratio enroulement primaire/secondaire 2.0 ± 3 % | ||
Type de montage Surface | ||
Inductance de fuite 4μH | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Profondeur 9.6mm | ||
Longueur 21.3mm | ||
Largeur 15mm | ||
Normes/homologations IEC/UL 62368-1, IEC/UL 60664-1 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transformateur Bourns à dégagement élevé et distance de fuite est doté d'un noyau toroïdal pour un couplage élevé et un faible rayonnement, conçu pour les alimentations d'isolation utilisant TI SN6501 et SN6505B.
Conforme aux normes CEI/UL 60664-1 et CEI/UL 62368-1
Isolation renforcée pour une tension de fonctionnement jusqu'à 1 500 V c. c.
Le potentiel élevé est jusqu'à 7 640 V c. a.
Niveau de décharge partielle jusqu'à 2 250 V (Ut = 1 800 V)
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