Transistor numérique, SOIC, 8 broches Dual

Ces transistors à effet de champ de puissance double N- et P-Channel sont produits à l'aide d'un processus Advanced PowerTrench spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état et maintenir des performances de commutation supérieures. Ces appareils sont bien adaptés aux applications à faible tension et à alimentation par batterie où une perte de puissance en ligne faible et une commutation rapide sont nécessaires.

Q1: Canal N
7,0 A, 30 V.
RDS(ON) = 28 mΩ à VGS = 10 V.
RDS(ON) = 40 mΩ à VGS = 4,5 V.
Q2: P-Channel
-5 A,-30 V
RDS(ON) = 52 mΩ à VGS = -10 V
RDS(ON) = 80 mΩ à VGS = -4,5 V.
Vitesse de commutation élevée
Haute puissance et capacité de manutention dans un boîtier de montage en surface largement utilisé
Applications
Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.