Transistor numérique, WDFN, 8 broches Dual

Ces MOSFET de niveau logique N-Channel sont produits à l'aide d'un processus Advanced PowerTrench qui a été spécialement adapté pour minimiser la résistance à l'état et pour maintenir des performances de commutation supérieures Ces dispositifs sont bien adaptés aux applications à faible tension et à alimentation par batterie où une perte de puissance en ligne faible et une commutation rapide sont nécessaires.

Max rDS(on) = 40 mΩ à VGS = 10 V, ID = 4,8 A
Max rDS(on) = 51 mΩ à VGS = 4,5 V, ID = 4,3A
Vitesse de commutation élevée
Charge de hayon basse
Technologie de tranchée haute performance pour très faible rDS(on)
Haute puissance et capacité de gestion du courant.
Applications
Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.