Transistor Bipolaire Infineon, 65 mA NPN, 20 V, 3 broches, SOT-23 NPN

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Code commande RS:
258-6996
Référence fabricant:
BFR183E6327HTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Transistor Bipolaire

Courant continu de Collecteur maximum Idc

65mA

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

20V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Configuration du transistor

NPN

Tension Collecteur Base maximale VCBO

20V

Tension Emetteur Base maximale VEBO

2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Gain en courant DC minimum hFE

70

Polarité du transistor

NPN

Dissipation de puissance maximum Pd

450mW

Fréquence de transition maximale ft

8GHz

Température d'utilisation maximum

150°C

Nombre de broches

3

Hauteur

1mm

Largeur

2.4 mm

Série

BFR183

Normes/homologations

RoHS

Longueur

2.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor RF bipolaire en silicium à faible bruit d'Infineon est conçu pour les amplificateurs haut débit à faible bruit et gain élevé à des courants de collecteur de 2 mA à 30 mA. Ce transistor est utilisé en tant qu'amplificateur et qu'oscillateur dans les communications frontales RF et dans les communications sans fil

Boîtier sans plomb conforme à la directive RoHS

Le VCEO max. est de 12 V

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