Transistor bipolaire RF, NPN, 50 mA, 4,1 V, SOT-343

Le transistor RF (HBT) bipolaire à hétérojonction large bande NPN au carbone-germanium au silicium (SiGe:C) d'Infineon dans un boîtier standard à double émetteur en plastique avec fils visibles. Le dispositif est équipé de circuits de protection internes, qui améliorent la robustesse contre les décharges électrostatiques et la puissance d'entrée RF élevée. Le dispositif combine robustesse avec un gain RF très élevé et un indice de bruit le plus faible à faible courant d'utilisation pour une utilisation dans une large gamme d'applications sans fil. Le BFP640ESD est particulièrement adapté aux applications portables alimentées par batterie dans lesquelles une consommation réduite est une exigence clé. La conception du dispositif prend en charge les tensions de collecteur jusqu'à 4,1 V.

Amplificateur robuste à faible bruit haute performance basé sur la fiabilité d'Infineon
Robustesse ESD de 2 kV (HBM) grâce aux circuits de protection intégrés
Puissance d'entrée RF maximale élevée de 21 dBm