Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 4, 1.75 A NPN, 80 V, 16 broches, PDIP
- Code commande RS:
- 633-672P
- Référence fabricant:
- ULN2075B
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 633-672P
- Référence fabricant:
- ULN2075B
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Transistor Darlington | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 1.75A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 80V | |
| Type de Boitier | PDIP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Nombre d'éléments par circuit | 4 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4.3W | |
| Polarité du transistor | NPN | |
| Température minimum de fonctionnemen | -20°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Série | ULN2075B | |
| Longueur | 20mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Transistor Darlington | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 1.75A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 80V | ||
Type de Boitier PDIP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 16 | ||
Nombre d'éléments par circuit 4 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4.3W | ||
Polarité du transistor NPN | ||
Température minimum de fonctionnemen -20°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Série ULN2075B | ||
Longueur 20mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.