MOSFET N STMicroelectronics 21 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP MDmesh
- Code commande RS:
- 151-409
- Référence fabricant:
- STP12NM50FP
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,853 € | 92,65 € |
| 500 + | 1,76 € | 88,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-409
- Référence fabricant:
- STP12NM50FP
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 350mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.85mm | |
| Hauteur | 30.6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 350mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.85mm | ||
Hauteur 30.6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics, ce dispositif a été développé en utilisant la technologie MDmesh, qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH de la société. Ces dispositifs offrent une résistance à l'enclenchement extrêmement faible, un dv/dt élevé et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Grâce à la technique de bande brevetée de ST, ces MOSFET de puissance affichent des performances dynamiques globales supérieures à celles des produits similaires disponibles sur le marché.
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