MOSFET canal N STMicroelectronics 54 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh M9
- Code commande RS:
- 151-783
- Référence fabricant:
- STWA65N045M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 151-783
- Référence fabricant:
- STWA65N045M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 54A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | MDmesh M9 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 312W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 15.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 20.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 54A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série MDmesh M9 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 312W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 15.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 20.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie de super-jonction MDmesh M9 la plus innovante, adaptée aux MOSFET à moyenne/haute tension présentant un très faible RDS(on) par surface. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée. Le produit qui en résulte présente l'une des plus faibles résistances à l'enclenchement et des valeurs de charge de grille réduites parmi tous les MOSFET de puissance à superjonction à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et une efficacité exceptionnelle
Plus grande capacité VDSS
Plus grande capacité dv/dt
Excellente performance de commutation
Facile à piloter
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