MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 650 V Enrichissement, 8 broches, ACEPACK SMIT MDmesh DM6 AEC

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Code commande RS:
152-113
Référence fabricant:
SH63N65DM6AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

ACEPACK SMIT

Série

MDmesh DM6

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

64mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.55V

Dissipation de puissance maximum Pd

424W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AQG 324

Standard automobile

AEC

Pays d'origine :
CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux transistors MOSFET dans une topologie à demi-pont. L'ACEPACK SMIT est un module d'alimentation très compact et robuste dans un boîtier à montage en surface pour un assemblage facile. Grâce au substrat DBC, le boîtier ACEPACK SMIT offre une faible résistance thermique couplée à un coussin thermique isolé du côté supérieur. La grande flexibilité de conception du boîtier permet plusieurs configurations, y compris les pattes de phase, le boost et le commutateur simple grâce à différentes combinaisons de commutateurs d'alimentation internes.

AQG 324 qualifié

Module d'alimentation demi-pont

Tension de blocage de 650 V

Diode de corps à récupération rapide

Très faibles énergies de commutation

Faible inductance d'emballage

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