MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 650 V Enrichissement, 8 broches, ACEPACK SMIT MDmesh DM6 AEC

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Code commande RS:
152-113
Référence fabricant:
SH63N65DM6AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

53A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

MDmesh DM6

Type de Boitier

ACEPACK SMIT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

64mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

424W

Tension directe Vf

1.55V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AQG 324

Standard automobile

AEC

Pays d'origine :
CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux transistors MOSFET dans une topologie à demi-pont. L'ACEPACK SMIT est un module d'alimentation très compact et robuste dans un boîtier à montage en surface pour un assemblage facile. Grâce au substrat DBC, le boîtier ACEPACK SMIT offre une faible résistance thermique couplée à un coussin thermique isolé du côté supérieur. La grande flexibilité de conception du boîtier permet plusieurs configurations, y compris les pattes de phase, le boost et le commutateur simple grâce à différentes combinaisons de commutateurs d'alimentation internes.

AQG 324 qualifié

Module d'alimentation demi-pont

Tension de blocage de 650 V

Diode de corps à récupération rapide

Très faibles énergies de commutation

Faible inductance d'emballage

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