MOSFET P STMicroelectronics 83 A 650 V Épuisement, 9 broches, ACEPACK SMIT HB
- Code commande RS:
- 152-183
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,54 € |
| 10 - 99 | 17,11 € |
| 100 - 199 | 16,91 € |
| 200 + | 16,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 152-183
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 83A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | HB | |
| Type de Boitier | ACEPACK SMIT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Tension directe Vf | 1.9V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 456nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.05mm | |
| Longueur | 25.2mm | |
| Largeur | 33.2mm | |
| Normes/homologations | Automotive-grade | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 83A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série HB | ||
Type de Boitier ACEPACK SMIT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Tension directe Vf 1.9V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 456nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.05mm | ||
Longueur 25.2mm | ||
Largeur 33.2mm | ||
Normes/homologations Automotive-grade | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux IGBT et deux diodes dans une topologie à demi-pont montée sur un boîtier très compact et robuste, facile à monter en surface. Le dispositif fait partie des IGBT de la série HB, qui est optimisé à la fois en termes de pertes de conduction et de commutation pour une commutation douce. Une diode à roulement libre avec une faible chute de tension vers l'avant est incluse dans chaque commutateur.
AQG 324 qualifié
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique grâce au substrat DBC
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