MOSFET P STMicroelectronics 650 V Épuisement, 9 broches, ACEPACK SMIT HB
- Code commande RS:
- 152-183
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
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| 1 - 9 | 18,54 € |
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| 200 + | 16,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 152-183
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | ACEPACK SMIT | |
| Série | HB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Tension directe Vf | 1.9V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 456nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 33.2mm | |
| Normes/homologations | Automotive-grade | |
| Hauteur | 4.05mm | |
| Longueur | 25.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier ACEPACK SMIT | ||
Série HB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Tension directe Vf 1.9V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 456nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 33.2mm | ||
Normes/homologations Automotive-grade | ||
Hauteur 4.05mm | ||
Longueur 25.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux IGBT et deux diodes dans une topologie à demi-pont montée sur un boîtier très compact et robuste, facile à monter en surface. Le dispositif fait partie des IGBT de la série HB, qui est optimisé à la fois en termes de pertes de conduction et de commutation pour une commutation douce. Une diode à roulement libre avec une faible chute de tension vers l'avant est incluse dans chaque commutateur.
AQG 324 qualifié
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique grâce au substrat DBC
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