MOSFET P STMicroelectronics 650 V Épuisement, 9 broches, ACEPACK SMIT HB

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Code commande RS:
152-181
Référence fabricant:
STGSH80HB65DAG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

ACEPACK SMIT

Série

HB

Type de montage

Surface

Nombre de broches

9

Mode de canal

Épuisement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.9V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

456nC

Dissipation de puissance maximum Pd

250W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

Automotive-grade

Hauteur

4.05mm

Longueur

25.20mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux IGBT et deux diodes dans une topologie à demi-pont montée sur un boîtier très compact et robuste, facile à monter en surface. Le dispositif fait partie des IGBT de la série HB, qui est optimisé à la fois en termes de pertes de conduction et de commutation pour une commutation douce. Une diode à roulement libre avec une faible chute de tension vers l'avant est incluse dans chaque commutateur.

AQG 324 qualifié

Série de commutation haute vitesse

Courant de queue minimisé

Distribution serrée des paramètres

Faible résistance thermique grâce au substrat DBC

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