MOSFET P STMicroelectronics 83 A 650 V Épuisement, 9 broches, ACEPACK SMIT HB
- Code commande RS:
- 152-181
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (200 unités, sur une bobine de 200)*
3 465,00 €
HT
4 158,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 200 + | 17,325 € | 3 465,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 152-181
- Référence fabricant:
- STGSH80HB65DAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 83A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | ACEPACK SMIT | |
| Série | HB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 456nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.05mm | |
| Longueur | 25.2mm | |
| Largeur | 33.2mm | |
| Normes/homologations | Automotive-grade | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 83A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier ACEPACK SMIT | ||
Série HB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 456nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.9V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.05mm | ||
Longueur 25.2mm | ||
Largeur 33.2mm | ||
Normes/homologations Automotive-grade | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le dispositif STMicroelectronics combine deux IGBT et deux diodes dans une topologie à demi-pont montée sur un boîtier très compact et robuste, facile à monter en surface. Le dispositif fait partie des IGBT de la série HB, qui est optimisé à la fois en termes de pertes de conduction et de commutation pour une commutation douce. Une diode à roulement libre avec une faible chute de tension vers l'avant est incluse dans chaque commutateur.
AQG 324 qualifié
Série de commutation haute vitesse
Courant de queue minimisé
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique grâce au substrat DBC
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P STMicroelectronics 650 V Épuisement ACEPACK SMIT HB
- MOSFET N STMicroelectronics 64 A 650 V ACEPACK SMIT
- MOSFET N STMicroelectronics 32 A 650 V ACEPACK SMIT
- MOSFET N STMicroelectronics 53 A 650 V Enrichissement ACEPACK SMIT MDmesh DM6 AEC
- Thyristor STMicroelectronics SCR 1200 V 9 broches, ACEPACK SMIT
- Modules MOSFET 5 STMicroelectronics 28 A 650 V ACEPACK 2
- Modules MOSFET 4 STMicroelectronics 58 A 650 V ACEPACK 2
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 95 A 650 V Épuisement H2PAK SCT Non