MOSFET canal N STMicroelectronics 68 A 650 V Épuisement, 3 broches, TO-247 ST Non
- Code commande RS:
- 202-5547
- Référence fabricant:
- STW70N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 202-5547
- Référence fabricant:
- STW70N65DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 68A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | ST | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.036Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 125nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 450W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 41.2mm | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 68A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série ST | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.036Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 125nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 450W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 41.2mm | ||
Largeur 5.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
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