Modules MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 600 V Épuisement, 3 broches, TO-220FP ST
- Code commande RS:
- 202-5530
- Référence fabricant:
- STP33N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5530
- Référence fabricant:
- STP33N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | ST | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.115Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série ST | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.115Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes de récupération rapide MDmeshTM DM6. Comparé à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché.
100 % testé contre les avalanches
Protégé par Zener
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