Modules MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 600 V Épuisement, 3 broches, TO-220FP ST
- Code commande RS:
- 202-5529
- Référence fabricant:
- STP33N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5529
- Référence fabricant:
- STP33N60DM6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 25 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 600 V | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | ST | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.115 Ω | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 25 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 600 V | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série ST | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.115 Ω | ||
Type de montage Traversant | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
100% avalanche tested
Zener-protected
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