MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Épuisement, 3 broches, Hip-247 SCT Non
- Code commande RS:
- 202-5488
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2VAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5488
- Référence fabricant:
- SCTW35N65G2VAG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.055Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tension directe Vf | 3.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Hauteur | 34.95mm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.055Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Tension directe Vf 3.3V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.75mm | ||
Hauteur 34.95mm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible
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