MOSFET canal N STMicroelectronics 95 A 650 V Épuisement, 7 broches, H2PAK SCT Non
- Code commande RS:
- 202-5481
- Référence fabricant:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5481
- Référence fabricant:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 95A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.02Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 162nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 360W | |
| Tension directe Vf | 2.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 15.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 95A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.02Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 162nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 360W | ||
Tension directe Vf 2.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 15.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.8mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible
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