MOSFET N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK

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Code commande RS:
224-9997
Référence fabricant:
SCTH35N65G2V-7AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

45A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

H2PAK

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

67mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

3.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

208W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.25mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.

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Très faible charge de grille et capacité d'entrée

Broche de détection de source pour plus de rendement

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