MOSFET canal N STMicroelectronics 116 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH90
- Code commande RS:
- 201-0868
- Référence fabricant:
- SCTH90N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
23 717,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 23,717 € | 23 717,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 201-0868
- Référence fabricant:
- SCTH90N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 116A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Série | SCTH90 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 484W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 157nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Hauteur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 116A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Série SCTH90 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 484W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 157nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.25mm | ||
Hauteur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 116 A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 175 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacités d'entrée
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