MOSFET canal N STMicroelectronics 116 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK SCTH90
- Code commande RS:
- 201-0868
- Référence fabricant:
- SCTH90N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 201-0868
- Référence fabricant:
- SCTH90N65G2V-7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 116A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Série | SCTH90 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 157nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 484W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 10.4mm | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 116A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Série SCTH90 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 157nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 484W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 10.4mm | ||
Longueur 15.25mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics 650 V est doté d'une intensité nominale de 116 A et d'une résistance de drain à source de 18 m Ohm. Il est doté d'une faible résistance à l'état passant par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Très haute capacité de température de jonction de fonctionnement (TJ = 175 °C)
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Très faible charge de grille et capacités d'entrée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 116 A 650 V Enrichissement H2PAK SCTH90
- MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement H2PAK
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 Sct
- MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STPOWER Gen3 SiC MOSFET Non
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 51 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STH65N AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7