MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-226
- Référence fabricant:
- SCT018H65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
16,97 €
HT
20,36 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 16,97 € |
| 10 - 99 | 15,28 € |
| 100 + | 14,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-226
- Référence fabricant:
- SCT018H65G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 27mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 385W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Température d'utilisation maximum | 75°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 27mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 385W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Température d'utilisation maximum 75°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à grande vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Nos clients ont également consulté
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 Sct
- MOSFET N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET STMicroelectronics 55 A 1200 V, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 110 A 900 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET canal Type N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 30 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT
- MOSFET N STMicroelectronics 55 A 1200 V Enrichissement H2PAK-7 SCT025H120G3AG AEC-Q101