MOSFET canal N STMicroelectronics 40 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK-7 SCT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 215-232
- Référence fabricant:
- SCT040H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 215-232
- Référence fabricant:
- SCT040H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | SCT | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Tension directe Vf | 2.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 54nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 15.25mm | |
| Hauteur | 4.8mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série SCT | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Tension directe Vf 2.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 54nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 15.25mm | ||
Hauteur 4.8mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le composant MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à partir de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3ème génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Performances de commutation à grande vitesse
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