Module MOSFET STMicroelectronics canal N, H2PAK-7 33 A 1200 V, 7 broches

Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation.

Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Capacité faible