Modules MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 1.2 kV Épuisement, 7 broches, H2PAK-7 SCT
- Code commande RS:
- 202-5484
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 202-5484
- Référence fabricant:
- SCTH40N120G2V7AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 33 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 1.2 kV | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCT | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.105 Ω | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 33 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 1.2 kV | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCT | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.105 Ω | ||
Type de montage En surface | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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